Impurificación de GaN en fase cubica para el desarrollo de dispositivos optoelctrónicos

Ponente: Dr. Héctor Pérez Ladrón de Guevara

El GaN es un material ampliamente utilizado en la electrónica moderna, una de las características que lo hace tan importante es que al alearse con el indio (InGaN) se puede modular la emisión y absorción de esta aleación desde el UV hasta el visible, lo cual lo hace ideal para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. Es necesario encontrar las condiciones ideales para poder dopar el GaN durante su síntesis y así obtener un semiconductor tipo P o N con las concentraciones de portadores requeridas para poder desarrollar dispositivos de una alta eficiencia. En este trabajo se muestra la forma de sintetizar las aleaciones de GaN e InGaN utilizando un sistema de crecimiento de GS-MBE así como el proceso de dopaje utilizando Mg y Si.